삼성, '슈퍼 갭'전략 추진 : 플래시 메모리 태스크 포스 구축

한국 미디어 뉴스에 따르면, 삼성 전자는 세계 NAND 플래시 메모리 산업을위한 소위 "슈퍼 갭 (Super Gap)"전략을 구현하기 시작했다. 삼성 전자는 6 세대 128 레이어 3D NAND 기술의 경쟁 우위를 개선하기 위해 특별 실무 그룹을 설립했다고보고했다.

삼성 전자는 128 계층 NAND 플래시 메모리 시장에서 처음으로 경쟁에서 이겼지 만 여전히 제품 수율 향상을 위해 노력하고있다.

이 특수 실무 그룹의 구성원에는 Samsung Device Solutions (SDS) 제조 기술 센터와 NAND 플래시 메모리 생산을 담당하는 부서 임원이 포함됩니다. 업계는 삼성 전자가 NAND 플래시 메모리 생산에 참여하기 위해 핵심 인력으로 구성된 실무 그룹을 설립 한 이유는 6 세대 NAND 플래시 메모리의 출력을 가능한 많이 늘리기 때문이라고 믿고있다.

삼성 전자는 세계 NAND 플래시 메모리 시장을 장악하고 30 % 이상의 시장 점유율을 가지고 있지만, Changjiang Storage 및 Intel과 같은 경쟁 업체는 최근 자체 100 개 이상의 NAND 플래시 메모리 계층을 출시했으며이 한국 칩 제조업체는 "슈퍼 갭"전략을 구현하십시오.

또한 삼성은 가까운 시일 내에 160 개 이상의 칩층을 개발 및 생산할 것으로 예상된다.