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E-mail:Info@YIC-Electronics.com
SK 하이닉스는 세계 최초의 128-layer 4D NAND가 하반기에 판매 될 것이라고 발표했다.
SK 하이닉스는 세계 최초로 128TB (Terabit) TLC4DNAND 플래시 메모리를 양산 해 올 하반기에 판매를 시작할 예정이라고 26 일 발표했다.
SK 하이닉스는 지난해 10 월 96 나노 4DNAND를 출시 한 데 이어 8 개월 만에 신제품을 출시 할 예정이다. SK 하이닉스는 한국 언론에 따르면 수직 형 식각, 다층막 입자 형성, 저전력 루프 설계 및 기타 기술을 적용하여 3600 스택을 생성하는 TLC 디자인 (셀 단위 3 비트)을위한 신제품을 개발했다. 1 억 개 이상의 NAND 과립 및 128 층 1Tb 제품은 업계에서 가장 많은 스택 수를 자랑 할뿐만 아니라 삼성 전자의 90 층 NAND를 능가합니다.
96 개의 QLC1Tb 사양이 있지만 TLC의 성능과 처리 속도는 QLC보다 우수합니다. NAND 시장에서 TLC 제품의 시장 점유율은 85 %입니다. 따라서 SK 하이닉스는 TLC 기술로 대용량 NAND를 처음으로 개발하여 외부 세계로부터 주목을 받고 있습니다.
특히 제품이 원래의 96 층 NAND 제품에 32 개의 레이어를 추가하더라도 프로세스 절차가 5 % 감소하고 128 레이어 4D NAND는 96 레이어 4D NAND보다 웨이퍼 당 40 비트 높은 생산성을 제공합니다 PUC 기술이 사용되지 않더라도 (주변 회로) 128 층 4DNAND의 비트 수준 생산성은 여전히 15 % 이상 증가 할 수 있습니다. SK 하이닉스에 따르면이 방법은 이전 공정 전환 비용 대비 60 % 감축 할 수있는 새로운 공정 전환 비용을 절감 할 수 있습니다. "Korean Daily" SK 하이닉스는 작년 10 월에 개발 한 4DNAND 공정 플랫폼을 사용하여 공정 결과를 최적화했다.
SK 하이닉스는 하반기에 128 층 4D 낸드 플래시 메모리를 판매 할 계획이다. SK 하이닉스는 저전력 (1.2V) 환경에서도 1400Mbps의 데이터 전송 속도에 도달 할 수있어 고성능, 저전력 소비 모바일 솔루션 및 엔터프라이즈 SSD (Solid State Drive)에 적합합니다.
SK 하이닉스는 지난해 10 월 96 나노 4DNAND를 출시 한 데 이어 8 개월 만에 신제품을 출시 할 예정이다. SK 하이닉스는 한국 언론에 따르면 수직 형 식각, 다층막 입자 형성, 저전력 루프 설계 및 기타 기술을 적용하여 3600 스택을 생성하는 TLC 디자인 (셀 단위 3 비트)을위한 신제품을 개발했다. 1 억 개 이상의 NAND 과립 및 128 층 1Tb 제품은 업계에서 가장 많은 스택 수를 자랑 할뿐만 아니라 삼성 전자의 90 층 NAND를 능가합니다.
96 개의 QLC1Tb 사양이 있지만 TLC의 성능과 처리 속도는 QLC보다 우수합니다. NAND 시장에서 TLC 제품의 시장 점유율은 85 %입니다. 따라서 SK 하이닉스는 TLC 기술로 대용량 NAND를 처음으로 개발하여 외부 세계로부터 주목을 받고 있습니다.
특히 제품이 원래의 96 층 NAND 제품에 32 개의 레이어를 추가하더라도 프로세스 절차가 5 % 감소하고 128 레이어 4D NAND는 96 레이어 4D NAND보다 웨이퍼 당 40 비트 높은 생산성을 제공합니다 PUC 기술이 사용되지 않더라도 (주변 회로) 128 층 4DNAND의 비트 수준 생산성은 여전히 15 % 이상 증가 할 수 있습니다. SK 하이닉스에 따르면이 방법은 이전 공정 전환 비용 대비 60 % 감축 할 수있는 새로운 공정 전환 비용을 절감 할 수 있습니다. "Korean Daily" SK 하이닉스는 작년 10 월에 개발 한 4DNAND 공정 플랫폼을 사용하여 공정 결과를 최적화했다.
SK 하이닉스는 하반기에 128 층 4D 낸드 플래시 메모리를 판매 할 계획이다. SK 하이닉스는 저전력 (1.2V) 환경에서도 1400Mbps의 데이터 전송 속도에 도달 할 수있어 고성능, 저전력 소비 모바일 솔루션 및 엔터프라이즈 SSD (Solid State Drive)에 적합합니다.