SK Hynix는 최근 1C (6 세대, 10 나노 미터 클래스) DRAM 프로세스 기술을 발전 시켰으며, 6 층 Extreme Ultraviolet (EUV) 리소그래피의 대규모 통합을 성공적으로 실현하여 세계 최고의 제조업체 중 하나가되었습니다.대략 13.5 nm의 파장에서 EUV를 사용 하여이 기술은 제조 공정을 크게 최적화하고, 다중 패터닝의 복잡성을 줄이며, 웨이퍼 수율을 향상시켜 80-90%의 브링을 초과하여 읽기/쓰기 성능의 11% 개선 및 전력 소비의 9% 감소를 초과했습니다.
SK Hynix의 1C DRAM 프로그램은 고성능 컴퓨팅 및 인공 지능 시장에 서비스를 제공하는 데 중점을 둡니다.기존의 HBM3E 및 다가오는 대량 생산 된 HBM4는 1B 프로세스를 사용하는 반면, 1C 프로세스는 후속 HBM4E 제품에 가장 먼저 적용될 것이며 고용량 DDR5 메모리 모듈의 개발을 주도합니다.앞으로 회사는 1D 및 0A 프로세스에서 EUV 층의 사용을 계속 확장하고 High-NA EUV 기술이 DRAM 프로세스를 Sub-2NM 노드로 추가로 유도 할 수있는 방법을 포장 할 것입니다.
6 층 EUV 기술의 이점을 가진 SK Hynix는 글로벌 AI의 고속 및 고용량 저장에 대한 수요가 급증함으로써 고급 DDR5 및 HBM 시장에서 경쟁력을 높이고 삼성과 같은 경쟁 업체, Terabyte Class DRD의 상업적 롤아웃, 10,000의 HBM (HBM)의 상업적 롤아웃을 가속화 할 것으로 기대합니다.글로벌 메모리 시장의 환경을 재구성합니다.